擴散爐是半導體生產線前工序的重要工藝設備之一，用于大規模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導纖維等行業的擴散、氧化、退火、合金及燒結等工藝

   擴散/氧化爐是半導體生產線重要工藝，擴散是在高溫條件下，利用熱擴散原理將雜質元素按要求的深度摻入硅襯底中，使其具有特定的濃度分布，達到改變材料的電學特性，形成半導體器件結構的目的。可用于制作PN結或構成集成電路中的電阻、電容、二極管和晶體管等器件。氧化是將硅片放置于氧氣或水蒸氣的氛圍中進行高溫熱處理，在硅片表面形成氧化膜的過程，可作為離子注入的阻擋層及注入穿透層、表面鈍化、器件結構的介質層等。

擴散爐有垂直擴散爐（vertical）和水平擴散爐（horizontal）兩種類型。

垂直擴散爐是石英舟垂直于水平面，更加有利于機械手傳送硅片，片內工藝參數一致性更好。

水平擴散爐是石英舟平行于水平面，一臺可以4個或4個以上的工藝爐管，平均爐管的占地面積更小，片間的工藝參數較垂直擴散爐更好。

擴散爐由控制系統、進出舟系統、爐體加熱系統和氣體控制系統等組成。

控制部分包括：溫控器、功率部件、超溫保護部件、系統控制。

系統控制部分有四個獨立的計算機控制單元，分別控制每層爐管的推舟、爐溫及氣路部分，是擴散/氧化系統的控制中心。

輔助控制系統，包括推舟控制裝置、保護電路、電路轉接控制、三相電源指示燈、照明、凈化及抽風開關等。

         較先進的擴散爐控制系統均已更新或升級到微機控制，管機與主機間通過串口RS232或網線進行通信。控制系統軟件大多基于Windows系統，實用性和可操作性大大提高，能夠實現日志記錄，曲線記錄，程序編輯，遠程控制等多種功能。

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